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发明专利|一种基于IC卡量控电表的阶梯电价售电系统及电表

游戏世界2025-07-04 11:32:078726

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该研究工作利用了XANES等技术分析了富含缺陷的四氧化三钴的化学环境,专利种基从而证明了其中氧缺陷的存在及其相对含量。如果您有需求,|于欢迎扫以下二维码提交您的需求,或直接联系微信客服(微信号:cailiaoren001)。

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近日,价售王海良课题组利用XANES等先进表征技术研究富含缺陷的单晶超薄四氧化三钴纳米片及其电化学性能(Adv.EnergyMater.2018,8,1701694),如图一所示。因此,发明原位XRD表征技术的引入,可提升我们对电极材料储能机制的理解,并将快速推动高性能储能器件的发展。

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Fig.2In-situXRDanalysisoftheinteractionsduringcycling.(a)XRDintensityheatmapfrom4oto8.5oofa2.4mgcm–2cellsfirstcycledischargeat54mAg–1andchargeat187.5mAg–1,wheretriangles=Li2S,square=AQ,asterisk=sulfur,andcircle=potentiallypolysulfide2θ.(b)ThecorrespondingvoltageprofileduringtheinsituXRDcyclingexperiment.材料形貌表征在材料科学的研究领域中,专利种基常用的形貌表征主要包括了SEM,专利种基TEM,AFM等显微镜成像技术。

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